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A Product Line of
Diodes Incorporated
DMN2028USS
0.030
0.030
0.025
0.020
0.025
0.020
V GS = 4.5V
T A = 150°C
0.015
0.010
V GS = 2.5V
0.015
0.010
T A = 125°C
T A = 85°C
T A = 25°C
0.005
V GS = 4.5V
0.005
T A = -55°C
0
0
5 10 15
20
0
0
5 10 15
20
1.6
1.4
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.030
0.025
0.020
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
1.2
0.015
V GS = 2.5V
I D = 5A
1.0
V GS = 2.5V
I D = 5A
0.010
V GS = 4.5V
0.8
0.6
-50
V GS = 4.5V
I D = 10A
-25 0 25 50 75 100 125 150
0.005
0
-50
I D = 10A
-25 0 25 50 75 100 125 150
3.0
2.5
2.0
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
16
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
1.5
12
8
T A = 25°C
1.0
I D = 1mA
0.5
I D = 250μA
4
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
0
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMN2028USS
Document number: DS32075 Rev. 3 - 2
5 of 8
www.diodes.com
October 2010
? Diodes Incorporated
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